VRM MOSFET温度和如何监管它

关键的外卖

• 定义和理解VRM与MOSFET。

• 了解如何计算MOSFET的温度。

• 探索温度调节VRM MOSFET。

热浪可能会非常难以忍受。环境温度在90年代或100年代,也不是什么罕见的事情感觉你要在阳光下烤。在我绝望的在一个特定的热浪,我试图抵消像烤箱一样的环境通过创建另一个极端。我把袋子冰块倒进浴缸里,浸泡在,只要我可以。这不是一颗卑微的心,但带浴消散热量从燃烧的太阳和提供了一些急需的救援。

调节VRM MOSFET温度是至关重要的,尽管它可能容易扔在冰浴作为快速冷却解决方案中,我们知道那是不可能的。

当处理VRM MOSFET的温度,你需要一个更聪明的方法,这就是这篇文章。但首先,VRM MOSFET是什么?

VRM与MOSFET

VRM MOSFET是降压的监管机构在主板上的一部分。

让我们开始与VRM[链接OrCAD |实现冷却的PCB电源VRM设计当生活)。它代表电压调节器模块,该调节电压提供给CPU和GPU在主板上。从设计师的角度来看,VRM切换巴克直流-直流调节器,将供电单元的电压转换为低级的所需的处理器。VRM通常由转换集成电路,电感,电容,MOSFET。

场效应晶体管代表金属氧化物半导体场效应晶体管。如上所述,这是一个整体VRM的电器元件和功能开关,打开和关闭根据PWM输入信号。你可以发现VRM容易在主板上。强调通过散热片在CPU的数组。在散热片,你会发现场效电晶体。

计算VRM MOSFET温度

功率晶体管可以很热,VRM MOSFET。

当打开MOSFET,电流流经组件。在一个理想世界中,所有的电力供应将被转移到负载,和在这种情况下,CPU和相关组件。在现实生活中,一些电力MOSFET作为热量消散,可显著提高其温度。

MOSFET的潜在增加的温度是由它的热阻。热阻是表达°C / W。它表明温度的增加而MOSFET功率耗散。在数据表中,你常常会发现参数,R_thJC和R_thJA。

R_thJC指接点温度之间的差异和情况而R_thJA措施结和环境之间的区别。了解如何热VRM MOSFET可以,使用R_thJA价值。

计算MOSFET功率损耗

首先计算开关MOSFET功率耗散。可以通过总计电阻和切换损失:

PD_MOSFET总= PD_电阻+ PD_切换

发现电阻损失

电阻损失,PDRESISTIVE,可以计算出从以下方程:

PD_电阻= (_ILOAD²×R_DS(在)热)×(V_出/ V_在)

找到开关损失

的切换损失更复杂,但是可以用以下公式:

PD_切换= (C_RSS×V_在²×f_西南×我_负载)/我_门

C_RSSMOSFET的反向传输电容,可以在数据表中找到。

一旦你得到总功率耗散,你就会知道MOSFET的温度如下:

T_J= PD_{场效应晶体管总}x R_thJA+ T_一个

CPU,它并不罕见,100°C以上的价值。这就是热MOSFET可以当推动高端cpu和gpu。在下一节中,我们将探讨如何抑制VRM MOSFET温度。

如何监管VRM MOSFET温度

散热片有助于驱散热量VRM的MOSFET

VRM MOSFET不可避免地释放出大量的热开车时耗电芯片。因为冰浴不是一个选项,你将需要一个现实的方法来调节温度,使其效率和寿命不妥协。

的主板本身就是一个赠品为保持热量控制工作。散热片很明显,方便在分散MOSFET的热,因为他们的目的就是把热量从高温设备。适当通风套管有助于取代热空气外,这意味着你需要安装冷却风扇。在某些情况下,液体冷却剂是用来控制MOSFET的温度。然后转移到散热器的热量循环冷却剂。

对PCB设计者,你可以做你的参与保持VRM MOSFET温度检查通过被动分配大量的技术热通过协助热分散。同时,确保热敏元件不会放在MOSFET。

拥有先进的PCB软件与机械设计师,可以无缝地工作,以确保适当的散热情况。快板PCB编辑适应型/ MCAD集成帮助同步设计。

如果你想了解更多关于节奏是如何对你的解决方案,跟我们和我们的专家团队。