再分配层技术
关键的外卖
的再分配层促进电气连接的重组以适应所需的配置。
再分配层允许高效的信号路由、配电、高层集成IC的死亡。
扇入方法,分配层技术支持高密度集成和高收益。扇出的方法,可以实现热、电效率。
随着需要更紧凑和高效设备,半导体行业必须不断跟上技术进步来维持这种需求。包装技术的发展一直是一种满足小型化的要求同时满足设备功能、系统性能和功耗的要求。利用再分配层使有效信号路由、配电、高层之间的集成集成电路死亡和外部包。
有许多IC封装技术,需要重新分配层可以是巨大的。在本文中,我们将讨论各种再分配层技术和探索他们的应用程序。
再分配层
考虑微控制器单元包装成一个更大的电子系统。微控制器单元使用一个特定的输入/输出(I / O)垫安排,这是作为一个接口之间的集成电路(IC)和外部系统或组件。这些I / O垫促进电子信号的传播,维护IC对潜在的损害,并扮演着重要的角色在组装和包装的IC。然而,并不是所有的I / O板安排匹配所需的互连方案所要求的系统。这就是你需要重新分配层。
重新分配层是一组额外的金属层,增加促进了重排的电气连接,以满足所需的配置。再分配层的桥梁之间的差距I / O垫和相应的垫在包底物,以便有效地优化路由的信号。这里有一些原因再分配层可能被利用。
再分配层的优点 |
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小型化 |
允许高针数和细节连接,使集成电路包装小型化 |
信号路由优化 |
确保有效的信号路由,减少信号延迟,提高信号的完整性 |
异构集成 |
集成不同类型的芯片和系统级集成组件在一个包 |
增加的功能 |
支持集成无源元件,如电阻、电容等来增强整体功能 |
改进的电气性能 |
减少寄生虫的效果,阻抗不匹配,提高电气性能和信号损失 |
热管理 |
提高热耗散在包内,优化传热,降低经济过热风险 |
先进的包装技术 |
支持3 d集成,system-in-package (SiP)和wafer-level包装巨头()——先进的包装方法 |
类型的再分配层技术
有两种类型的再分配层技术——扇入和扇出。
扇入再分配层技术
扇入再分配层(FI-RDL)技术涉及到分配I / O信号从一个更大的死更小的包底物。中使用的技术multi-chip模块和soc设计。FI-RDL方法的优点是:
- 集成多个死在一个较小的基质有利于实现紧密包装大小,同时保持高功能。
- 每个死前测试和验证集成——这可以减少packing-level缺陷的风险,提高生产产量。
扇出再分配层技术
扇出再分配层(FO-RDL)包括I / O信号的再分配从较小的死更大的包底物。这种方法将死脸朝下在包底物和RDL促进信号的再分配和权力。这种方法的优点包括:
- 通过优化die-to-package比率减少包的形式,可以实现更高级别的小型化。
- 短互连长度减少寄生效应,如电容,电感,电阻,导致更快信号传播,减少了信号延迟,低功耗,即。,改善电气性能。
- 包底物之间的直接联系和死亡使高效的传热,降低了热阻,提高整体的热管理集成电路。
再分配层技术先进的包装
在现代半导体封装,再分配层技术起到了至关重要的作用使有效信号集成电路内的路由和功率分布。通过一个合适的选择RDL技术制造商实现更高的性能和增加了半导体封装的功能集成。
最好的包装设计工具可以让你有效地容纳的路由要求重新分配层和优化信号完整性和热管理。与三维可视化,可视化集成电路设计和验证,包括分配层,检查潜在的设计问题,层对齐和集成的I / O垫。
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