pHEMT过程在半导体行业起着至关重要的作用

关键的外卖

• pHEMTs由不同的半导体材料和连接,形成垂直。

• pHEMT科技型MMICs流行提供宽带性能特征。

• pHEMT过程所需的制造过程,涉及步骤制造pHEMT设备。

MMICs是无线通信系统的重要组成部分

有扩散的假象高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术在微波集成电路。pHEMT技术是首选的前任MESFET由于优势如高电子迁移率,增加设备电流容量,和更好的高频性能。更换的MESFET pHEMTs导致关闭MESFET铸造厂。幸存下来的铸造厂的MESFET过程转化为pHEMT的过程。

在本文中,我们将集中讨论pHEMT的过程。

MMIC和pHEMT技术

MMICs无线通信系统不可避免的一部分。MMIC技术最重要的是由于其可靠性高,可重复性好,体积小。MMICs广泛推广的使用在电路设计师,因为它们提供高性能与降低成本。MMIC技术是免费的从被动的不可预知的寄生元素,限制传统的混合集成电路的高频操作。pHEMT技术的公司福利MMICs通过提高性能与出色的效率更高的频率范围。

pHEMT技术

pHEMT的科技型MMICs流行提供宽带低噪声等性能特征生成、高线性放大器,在高频运行可靠性高。pHEMT技术是最受欢迎的MMIC技术用于制造微波集成电路,因为它展示了出色的高频操作由于异质结和不同带隙的存在的内部结构。

pHEMTs由不同的半导体材料和连接,形成垂直。垂直导致不同类型的能量在pHEMTs乐队。异质结阻止库仑散射,从而加速电子迁移率。所有这些建筑或制造特征导致pHEMTS的更好的性能。

pHEMTs的基本结构

基本HEMT的外延结构包括层次(从下到上的顺序):半绝缘性基质层、缓冲层、通道,垫片和捐赠。不同的垂直层形式。当种植结构略有不同的晶格常数,它形成了pHEMT结构。外延层HEMTs和pHEMTs结构不同于mesfet。HEMT结构优化和扩展性能mesfet之外。

pHEMT制造过程

pHEMT制造过程包括pHEMT器件的外延结构的发展。种植在半绝缘性衬底结构。pHEMT过程中常用的方法种植层包括分子束外延(MBE)或有机化学汽相淀积(金属)。缓冲层也是衬底上外延生长基质隔离缺陷。因此,形成表面光滑的活跃层生长。

晚饭在pHEMTs晶格结构通常包含抑制衬底传导。无掺杂超晶格层是一个周期安排的外延层。超晶格层成长过程重复多次开发基本层厚度。

pHEMT过程的下一步的发展通道。通道层pHEMT结构是一个非常重要的一部分,作为二维电子气(2度)的形成发生在这一层,负责pHEMT器件的高电子迁移率。其余的pHEMT由间隔层的生长过程,捐赠者层,肖特基接触层,实现低电阻和高掺杂层欧姆接触。

pHEMT过程的重要性

pHEMT过程得到了关注,因为大多数现代MMICs基于pHEMT技术。在无线应用程序中,依赖于pHEMT器件的功率放大电路。例如,InGaP pHEMT科技型功率放大器广泛应用于无线应用程序。

InGaP pHEMT功率放大器用于电路由于良好的刻蚀选择性等优点在砷化镓,下表面氧化率由于没有铝材料,下表面潜力,价带不连续性高,较高的击穿电压,降低泄漏电流,等。有一个对pHEMT器件的巨大需求和MMICs基于pHEMT技术,另一个迹象pHEMT过程在半导体行业的重要性。

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