pHEMTs微波和毫米波应用程序

2023年2月10日

关键的外卖

假晶高电子迁移率晶体管(pHEMTs)设备,包括垂直。
中使用的半导体材料的电子饱和速度pHEMTs HEMTs相比是高的。
pHEMTs广泛用于单片微波集成电路。

pHEMTs广泛用于单片微波集成电路

量子阱结构的行为和发展的兴趣在晶体生长技术和调制掺杂导致创造假象的高电子迁移率晶体管(pHEMTs)。假晶高电子迁移率晶体管是由垂直的装置,主要的半导体材料属于组III和IV。排列的材料成分和掺杂的突然自动转换。pHEMTs的微波频率性能优于传统的场效应晶体管,他们常常在军事系统中使用。

高电子迁移率

电子迁移率是pHEMTs的至关重要的一个方面。快速电子迁移率等传统技术来说是不现实的mesfet。室温限制电子迁移率由于电离杂质的散射和光学声子。掺杂含量的增加是另一种方法用来提高电子迁移率。然而,杂质散射随着掺杂水平的增加变得越来越突出。这些限制,这不是可行的增加mesfet的电子迁移率增加密度板通道。

假晶半导体器件的高电子迁移率晶体管是一个例外,因为他们提供高电子迁移率。

pHEMTs的进化

高电子迁移率晶体管的需求导致了一系列的晶体管技术的发展如高电子迁移率晶体管(HEMTs)调制掺杂场效应晶体管(能),选择性掺杂异质结晶体管(SDHTs),二维电子气场效应晶体管(TEGFETs),和假晶高电子迁移率晶体管(pHEMTs)。

在所有这些技术,pHEMTs得到普及,由于他们当权的高性能和低噪声的应用程序。他们的性能优势包括:

较大的带隙半导体材料之间的不连续。例如,AIGaAs InGaAs。之间的大型隙材料产生更多的电荷转移或更高的单载波密度,从而增加设备的电流。这就是为什么pHEMTs提供高电流评级HEMTs相比。
中使用的半导体材料的电子饱和速度pHEMTs HEMTs相比是高的。例如,InGaAs-based pHEMTs表现出更好的频率性能比GaAs-based HEMTs以及更高的增益。
InGaAs-based pHEMTs提供改善载体监禁的通道。较大的带隙也不连续艾滋病承运人监禁并产生更高的输出电导pHEMT设备。
pHEMT电荷密度的通道高HEMT相比,上述半导体层(通常AlGaAs)通道可以overdoped不引入过多的寄生电流。的访问抗英吉利海峡减少掺杂水平越高。

pHEMTs提供高增益、低噪声数据和当前HEMTs相比高功率水平高。