改善与倒装芯片的散热QFN包

2023年3月14日,

关键的外卖

将导线债券附加到半导体的过程可分为基于力的应用,超声能量,和温度。
倒装芯片技术使用的小金属球,叫疙瘩,使连接。
在倒装芯片QFN包,倒装芯片互连集成到QFN的身体。

ICs根据倒装芯片QFN包技术用于维护性能没有线的不良影响债券

在某些半导体产品的应用程序,连接键是不切实际的由于大量互联或导线债券对产品性能的不利影响。在大多数情况下,基于倒装芯片ICs QFN包技术用于维护性能没有线的不良影响债券。即使引入倒装QFN包技术所需的成本是1.5倍的成本线债券包装前发现消费者高频射频应用产品。

线焊接和芯片封装

重要的是半导体和硅之间建立可靠的内部连接或连接在集成电路芯片,和连接键可以用来做这个。在导线焊接,电子半导体之间的互联,其他集成电路,建立了硅片使用导线债券。导线债券细电线的铜、银、金、或铝。

线结合机制

将导线债券附加到半导体的过程可分为基于力的应用,超声能量,和温度。标准钢丝焊接方法可分为基于输入能量。

线结合机制	类型的力量和能量
超声焊接	机械力和超声能量
超声波热焊接	机械力、高热能,超声波能量
热压键合	机械力和高热能

类型的钢丝粘合

线焊接是分为两部分:

球键合,金线通常使用。金线融化形成一个球,这是放在接触使用武力和对应的能量线焊接机制使用。开云体育LOL形成冶金焊接垫和球之间的联系。

楔形键合,铝丝焊材料通常使用。铝丝被带入接触接触垫和所需的能量线结合。能源的应用形式线之间的楔形债券和债券垫。

倒装芯片技术

电源管理是一个问题在选择集成电路包装产品设计风格。的电力和热能显著增加增加半导体器件集成密度和组件的大小减少。的线焊QFN包以及wafer-level芯片规模包(WCSP)配置无法满足产品的热性能需求有限,直接向董事会从模具热路径。倒装芯片的QFN包最好的热能耗散要求高速或会议高功率密度产品设计。

正如上面提到的,高速和高性能应用程序由线债券互连线不利影响债券连接。设备的速度、力量和地面分布、可靠性等损害是由于non-idealities导线债券。为了克服丝焊连接的不足,可以使用倒装芯片键合技术。

倒装芯片技术是一个方法用于互连半导体衬底死去。这种技术使用小金属球,叫疙瘩,让连接。一般来说,所使用的球是由银、铅、锡等金属疙瘩直接电镀的金属垫集成芯片。芯片然后翻转,连着衬底。

倒装芯片技术的优势

优秀的组装动力学
良好的电力和地面分布
大量的连接或高针数
高信号密度和信号的完整性
改进的功率损耗
高速接口是可能的
短途互联是可能的
低信号电感
可靠性
减少形式

倒装QFN包

扁平无铅集成电路包装使用倒装芯片电气互联技术通常被称为倒装芯片QFN包或FC QFN包。在倒装芯片QFN包,倒装芯片互连集成到QFN的身体。在倒装芯片QFN包中,创建了引线框架和芯片之间的联系使用倒装芯片技术,这是打包在一个QFN的身体。倒装芯片的接触热垫QFN包提高传热和提供低电感接地。QFN包的热效率以及倒装芯片互连的电效率是融入单一集成电路的倒装芯片QFN包。