砷化镓pHEMT技术支持高功率,效率高,高频应用程序
关键的外卖
砷化镓器件提供效率高、良好的线性放大器,和成本效益。
砷化镓的介电常数和半绝缘性属性使它适合在MMICs微带或者共面波导的设计。
高产量、再现性和体积小的砷化镓pHEMT科技型MMICs使他们一个常数组件在汽车雷达、微波通信、毫米波成像的应用程序。
砷化镓材料使高频射频,微波和毫米波通信成为现实。
针对无线通信100 ghz以上时,砷化镓pHEMT基于技术设备不应被忽视。砷化镓pHEMT基于技术的设备可以包含在功率放大器等电路,低噪声放大器和宽带宽调节器。这种技术表现出更好的性能比它的前辈一样,砷化镓场效应晶体管和砷化镓mesfet。
让我们了解更多关于砷化镓pHEMT技术。
砷化镓半导体的应用程序
在过去的二十年里,已经有了移动通信的快速增长,这增加了对半导体材料的需求。除了细胞交流,汽车雷达系统和毫米波成像系统也导致砷化镓半导体的增长市场。
砷化镓器件提供许多优点包括效率高、线性放大器,和成本效益。砷化镓功率放大器提供的高功率使其用于单片微波集成电路(MMICs)在高频通信系统和模块。
我们首先概述不同的砷化镓半导体技术。
GaAs-Based微波半导体技术
砷化镓材料使高频射频,微波和毫米波通信成为现实。高频微波信号的放大是单调乏味的砷化镓mesfet的发展前。用砷化镓MESFET技术,MMICs捏造GHz的频率应用程序扩展到100年代。
砷化镓的介电常数和半绝缘性属性使它适合在MMICs微带或者共面波导的设计。设备的工作温度通道可以约150°C,这通道温度高使砷化镓材料设备适合高温操作。
然而,砷化镓的制备成本MESFET科技型MMICs几乎等于硅的设备。新的砷化镓材料展示性能高于砷化镓mesfet,尽管IC制造的成本仍然相对相似。
异质结双极晶体管(HBT)技术开发的砷化镓半导体材料芯片用于超高频波段频率范围。
pHEMT技术
假晶高电子迁移率晶体管(pHEMTs) MMIC技术用于制造微波集成电路。pHEMT的科技型MMICs微波电子爱好者中很流行,因为它们提供宽带低噪声等性能特征生成、高线性放大器,在高频运行可靠性高。的pHEMT技术展示优秀的高频操作由于异质结和不同带隙的存在的内部结构。
异质结阻止库仑散射,从而加速电子迁移率。作为不同的半导体材料与垂直形式,它导致不同类型的能量。所有这些建筑或制造特点导致pHEMTS的更好的性能。
砷化镓pHEMT技术
砷化镓pHEMT技术得到普及由于其高击穿电压的能力。砷化镓pHEMT第二MMIC技术和帮助实现高功率、高效率放大器的低噪声数据。砷化镓pHEMT技术是最有前途的商业解决方案射频,微波和毫米波应用程序。
高产量、再现性和体积小的砷化镓pHEMT科技型MMICs使他们一个常数组件在汽车雷达、微波通信、毫米波成像的应用程序。
砷化镓pHEMT技术的优点
砷化镓pHEMT技术的优势包括:
- 高电子迁移率
- 高频操作
- 高温操作
- 高击穿电压约16 v
- 优秀的效率和功率
砷化镓pHEMT科技型MMIC应用程序
让我们来讨论一些具体的应用砷化镓pHEMT科技型MMICs。
宽带MMIC功率放大器
砷化镓pHEMT科技型宽带MMIC在高频功率放大器是重要的,因为他们改善平坦的小信号增益,最高功率增加效率,和最小饱和输出功率。砷化镓pHEMT的功率密度性能技术MMICs是业界最好的相比与其他MMIC技术。
双重门设备基于砷化镓pHEMT技术
在材料,如AlGaAs pHEMTs InGaAs或砷化镓交替使用。在某些double-doped pHEMTS,铝或不变量的砷化镓外延生长在半绝缘性砷化镓晶片。在毫米波应用程序中,双栅砷化镓pHEMT使用基于技术的设备。双重门砷化镓pHEMT技术设备给上级获得大型门宽度相比,单扇设备。操作的频率也在100年代GHz。
节奏可以帮助设计HEMT或pHEMT-based MMICs功率放大。节奏电路设计软件可以帮助你发展中砷化镓pHEMT科技型MMICs微波通信等各种应用程序和汽车雷达系统。大型电子产品提供商依赖节奏产品优化能力,空间,能源需求为广泛的市场应用。如果你想了解更多关于我们的创新的解决方案,跟我们的专家团队或订阅我们的YouTube频道。