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CMOS功率消耗

关键的外卖

  • 互补金属氧化物半导体(CMOS)功耗电力消耗的数量由CMOS电路在操作期间。

  • 功耗CMOS组件可以分为静态、动态、短路,时钟功耗。

  • CMOS功率消耗影响PCB设计的几个方面,包括动力输送网络设计,散热,信号完整性、电源完整性、层叠层配置和组件位置。

CMOS功率消耗

互补金属氧化物半导体(CMOS)功耗消耗的电力互补金属氧化物半导体电路在操作期间。由于其低功耗CMOS技术广泛应用于集成电路(ic)和微处理器。

CMOS功率消耗的电力消耗CMOS电路在操作期间。

功耗CMOS组件

电力消耗CMOS电路可以分为几部分:

静态功耗:该组件是由于泄漏电流流经晶体管的关闭状态。晶体管的大小、工艺技术、静态功耗和温度影响。泄漏电流的影响随着晶体管变得越来越小,所以静态功耗增加。

动态功耗:这发生在CMOS晶体管的开关,当数字信号从一个逻辑状态转换到另一个地方。动态功耗是由于充电和放电的负载电路的各节点。以下因素影响的动态功耗:

动态CMOS能耗影响因素

活动的因素

时间电路的一部分花在不同的州(0或1)影响的动态功耗。更高的活动因素,哪里有频繁的切换,导致能耗的增加

电源电压

电力消耗在开关电源电压的平方成正比。更高的供应电压增加动态功耗。

能力负荷

负载的功率消耗在充电和放电的功放正比于节点的电容被交换。大的参数导致动态功耗。

频率

功耗与更高的操作频率增加,因为更多的切换会导致增加动态功耗。


短路功耗:这发生短暂在CMOS晶体管的开关时的NMOS (n沟道金属氧化物半导体)和PMOS晶体管(p沟道金属氧化物半导体)同时打开。电源和地面之间的短路电流在此重叠的过渡时期。晶体管上浆、工艺和电路设计影响短路功耗。

时钟功耗:CMOS电路经常使用时钟信号同步。时钟功耗是时钟分布网络的功率耗散和时钟电路中的元素。时钟网络功耗取决于时钟频率,以元素的数量,和时钟树设计。

这些主要成分为CMOS电路的功耗。功率优化技术,如时钟控制、功率控制、电压缩放,通常用来降低功耗CMOS设计。

CMOS技术以其相对较低的功耗与其他技术相比,如双极结型晶体管。然而,电力优化技术,如时钟控制,电源控制,和电压缩放,常常被用于进一步降低功耗CMOS电路。

CMOS功率消耗和PCB设计

PCB设计CMOS功率消耗的影响。这里有一些方式CMOS功率消耗影响PCB设计:

功率输出网络设计

操作可靠、CMOS电路需要稳定和高效的电力供应。印刷电路板的功率输出网络设计必须提供足够的功率CMOS电路同时最小化功率损耗和电压降。仔细放置电源和地面飞机,选择一个合适的电源组件,和足够的电源去耦电容在CMOS电路将减少噪音和电压波动。

散热

CMOS电路产生热量,高效散热保持最佳操作温度是至关重要的。PCB布局,促进散热包括热通过飞机或铜散热片的热路由和组件定位适当的促进气流。可能需要额外的热管理技术如散热器、热垫,或粉丝。

信号的完整性

信号的完整性会受到噪声的影响和电压波动引起的高功率消耗。尽量减少噪声耦合到敏感信号痕迹,PCB设计者不得不考虑权力和地平面路由、信号跟踪分离,孤立。可以减轻噪声和信号完整性可以通过守卫痕迹,保持适当的接地和屏蔽。

电源完整性

CMOS功率消耗会导致电压降和波动沿着配电路径。适当的电源完整性设计确保了CMOS电路电压水平保持在指定的工作范围内。这涉及到减少电源阻抗、优化跟踪宽度,降低电感,利用解耦电容策略性地放置在配电网络。

层分层盘旋飞行

CMOS功率消耗可以影响PCB层堆积的选择。更高的电源设计可能需要额外的电源和地平面层提供足够的功率分布和减少噪音。层的层叠配置需要考虑电源平面分布等因素,信号完整性需求,和热管理。

组件的位置

可以最小化的权力相关问题妥善放置CMOS电路和功率输出组件相关联。适当的位置确保短和更直接的权力和地面连接,降低了电源阻抗,并促进有效的解耦电容的位置。

在PCB设计与优化功耗CMOS节奏的工具

CMOS功率消耗影响PCB设计的几个方面,包括动力输送网络设计,散热,信号完整性、电源完整性、层叠层配置和组件位置。CMOS电路运行可靠和表现良好,PCB设计中必须考虑这些因素。

PCB设计者可以使用抑扬顿挫的套件PCB设计和分析软件工具来帮助优化功耗CMOS。当你准备为原型,OrCAD PCB设计者的速度和综合功能加速板布局,减少投放市场的时间。

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