mesfet与场效应管:特点和优势
关键的外卖
场效应晶体管的基本分类包括jfet,场效应管,IGFETs。
场效电晶体压控设备,与电流控制的双极结晶体管(是)。
去除氧化层的场效应管导致mesfet的形成。
晶体管是一些半导体器件的构建块。通过使用场效应晶体管(FET)技术,各种设备对电力电子应用程序开发。
电力电子爱好者可能熟悉金属氧化物半导体场效应晶体管,否则称为场效应管。场效应管中广泛使用的固态设备切换电路,放大电路,和能量转化系统。同样的,还有另一个设备,称为金属半导体场效应晶体管(MESFET),这是源自于场效应晶体管。没有氧化层是区分mesfet从场效应管,但也有不同的建筑、设备特点、频率操作,和应用程序。
场效应晶体管的一般分类
场效应晶体管技术通常用于几种半导体器件。场效应晶体管的分类主要有两种类型:
结型场效应晶体管(jfet)
金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet),也称为绝缘栅场效应晶体管(IGFETs)。
jfet和mosfet工作在一个类似的原则,在电场控制当前通过设备的负责。然而,控制的方法是建立在不同的设备。变异的控制元件介绍不同的设备特点、电路设计和变化。
当使用FET-based设备,重要的是了解他们的特点。在接下来的部分中,我们将比较mosfet和mesfet的特点。
场效电晶体
使用场效应晶体管(fet)有限等缺点漏电阻高,操作慢,温和的输入阻抗。场效应管是固态的解决方案来克服这些缺点。此后,场效电晶体半导体行业。
场效应管有工作在任何电子电路,开关,转换,或放大电压。MOSFET是一个压控设备,与电流控制的双极结晶体管(是)。然而,像MOSFET晶体管,也是一个三端设备。
MOSFET的终端
的MOSFET的终端是:
门-门终端拿出薄金属板放置在顶部的二氧化硅层涂覆在基材上的p型半导体。
源,固定在底座上p型半导体衬底,两个地区都严重掺杂n型(n +)杂质。源终端源于n +的地区之一。
排水,在一个MOSFET,消耗的电流源。终端从其他n +地区形成了下水道。
类型的场效应管
基于建设、场效电晶体可以分为:
耗尽型场效应管,耗尽型MOSFET,最大电导是由通道时没有表现出电压门码头。有一个减少通道电导率,门口终端有偏见。
增强型场效应管,在增强型mosfet,没有设备传导时,门终端是无偏的。电导率是增强当门终端的电压最大值。
损耗和增强型场效应管,可以有n沟道和p沟道类型,占总共4 MOSFET类型。
mesfet
MOSFET的表面结构与薄二氧化硅层绝缘。尽管氧化层的目的是保护通道的门与设备表面形成保护层,它探测设备的一些不稳定。氧化层的污染环境大气中由于钠离子会导致长期的不稳定和改变设备的特点。场效应管中,氮化层是用于消除污染问题。
如果氧化层是完全从MOSFET结构,形成另一种半导体器件,称为金属半导体场效应晶体管(MESFET),可能发生的。在mesfet,没有氧化层分离门和基质,和一个肖特基结取代氧化层,它负责控制电子流从源流失。
类似于mosfet, p沟道和n沟道类型的mesfet是可用的。在两个通道类型,mesfet可以在消耗模式或增强模式。
让我们来比较一下mesfet与场效应管。
mesfet与场效应管
mesfet和mosfet功率损耗不同,设备的压力水平和集成能力。通过比较这些晶体管,工程师可以选择适当的对于一个给定的应用程序。
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