pHEMT工艺在半导体工业中起着至关重要的作用

关键的外卖

• phemt由不同的半导体材料组成，并连接形成异质结。

• 基于pHEMT技术的mmic因提供宽带性能特征而受到欢迎。

• pHEMT工艺是一种制造工艺，涉及制造pHEMT设备所需的步骤。

mmic是无线通信系统的重要组成部分

在微波集成电路(MMICs)中，伪晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术得到了广泛应用。pHEMT技术是首选的前任MESFET由于电子迁移率高，器件电流容量增加，高频性能更好等优点。用pHEMTs取代MESFET导致MESFET代工厂关闭。幸存下来的铸造厂是那些将MESFET工艺转换为pHEMT工艺的铸造厂。

在本文中，我们将重点讨论pHEMT过程。

MMIC和pHEMT技术

mmic是无线通信系统不可避免的一部分。MMIC技术具有可靠性高、重复性好、体积小等优点。mmic的使用在电路设计人员中得到广泛推广，因为它们提供了低成本的高性能。MMIC技术没有被动元件的不可预测的寄生，这限制了传统混合ic的高频操作。pHEMT技术的结合使mmic的性能提高到更高的频率范围，并具有出色的效率。

pHEMT技术

基于pHEMT技术的mmic因提供低噪声产生、高放大器线性度和高频工作的高可靠性等宽带性能特征而受到欢迎。pHEMT技术是最受欢迎的用于制造微波集成电路的MMIC技术，由于内部结构中存在异质结和不同的带隙，它展示了出色的高频工作。

phemt由不同的半导体材料组成，并连接形成异质结。异质结导致了pHEMTs中不同类型的能带。异质结阻止了库仑散射，从而加速了电子迁移。所有这些结构或制造特性使pHEMTS具有更好的性能。

pHEMTs的基本结构

基本HEMT的外延结构由多层(从下到上)组成:半绝缘衬底层、缓冲层、通道、间隔层和供体。不同的层形成异质结。当结构生长时，晶格常数略有变化，就形成了pHEMT结构。外延层hemt和phemt的结构与mesfet不同。HEMT结构优化并扩展了mesfet以外的性能。

pHEMT制造工艺

pHEMT制造工艺包括pHEMT器件外延结构的开发。该结构生长在半绝缘衬底上。在pHEMT过程中用于生长层的常用方法包括分子束外延(MBE)或金属有机化学气相沉积(MOCVD)。缓冲层还外延生长在衬底上以将缺陷与衬底隔离。结果，形成一个光滑的表面上生长的活动层。

在pHEMTs中，通常加入超晶格结构来抑制衬底传导。超晶格层是周期性排列的未掺杂外延层。超晶格层生长过程重复几次以形成必要的层厚。

pHEMT过程的下一步是通道的生长。通道层是pHEMT结构的一个非常重要的部分，因为二维电子气(2DEG)的形成发生在这一层，并负责pHEMT器件中的高电子迁移率。pHEMT工艺的其余部分包括间隔层、供体层、肖特基接触层和高掺杂层的生长，以实现低电阻欧姆接触。

pHEMT过程的重要性

pHEMT工艺已经得到了关注，因为大多数现代mmic都是基于pHEMT技术。在无线应用中，功率放大电路依赖于pHEMT器件。例如，基于InGaP pHEMT技术功率放大器广泛应用于无线应用。

InGaP pHEMT功率放大器具有优于GaAs的腐蚀选择性、材料中不含Al导致的表面氧化率低、表面电位低、价带不连续高、击穿电压高、漏电流小等优点。对基于pHEMT技术的pHEMT器件和mmic的需求巨大，这再次表明了pHEMT工艺在半导体行业中的重要性。

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