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光子集成电路特征

关键的外卖

  • 光子集成电路特性分析了光学性能的光子集成电路芯片内部组件。

  • 放大自发辐射(ASE)可以用于光子集成电路的特性。

  • 热成像的诊断工具是热调查光子集成电路。

光子集成电路特征

制造后,光子集成电路特征是非常重要的,以确保芯片正在按预期和满足规范

光子学领域的进展已经导致了大量使用光子集成电路。光子集成电路制造在半导体材料形成各种组件,如放大器、偏振器,光电探测器,调节器,等。加工后,光子集成电路特征是非常重要的,以确保芯片正在按预期和满足规范。让我们阅读更多理解光子集成电路的制造及其特征。

光子集成电路的发展

有大量的工作在光子学领域,作为他们的应用程序是蓬勃发展。研究、设计和制造的光子集成电路都是不断增加的复杂性和技术。

光子集成电路是基于超过摩尔定律,和制造的复杂性和生产带来了许多挑战,光学和电子。重要的是测试和描述光子集成电路制造中解决问题。

光子集成电路的测试和表征使用尖端的工具集和方法。工具和描述的准确性是至关重要的,作为可靠性由光子集成电路是依赖于它。光子集成电路开发和制造的效率在一定程度上是基于测试和表征。

光子集成电路优点

分析

  • 失效分析
  • 分析了光学性能的光子集成电路芯片内部组件

改善

  • 有助于提高热管理光子集成电路的识别步骤

提取

  • 提取光学光子集成电路组件的参数
  • 提取物的物理参数的晶圆材料光子集成电路

地图

  • 地图的光功率分布光子集成电路

量化

  • 量化的损失和效率相关的光子集成电路组件,如波导分割和耦合器
  • 量化光学光纤耦合损失在光子集成电路输入和输出

识别

  • 识别缺陷或故障的图片或图片晶片

测量

  • 测量光增益,光耦合损失,光吸收、光分解损失,光学效率、光学干涉比率,偏振相关收益,光学反馈,内部光功率分布,微分效率、性能的非线性光子集成电路及其组件

检查

  • 检查兼容性的光子和电子集成电路的混合组合

使用自发发射光子集成电路描述

放大自发辐射(ASE)可以用于表征光子集成电路。在这种方法中,光子集成电路可以使用一个元素(第一个元素)在芯片内描述另一个组件或第二个元素在同一芯片。

光信号从第一个元素应用到第二个元素,进而修改后者的温度曲线。作为第一个元素所产生的自发辐射光信号的第二个元素特征。

第二个元素的温度曲线可以通过调制光信号的变化。可以使用热反射成像获取第二个元素的温度曲线。从获得的温度曲线,第二个元素为特征。

特征参数

第二个元素的描述可能包括确定性能指标,确定缺陷或故障,量化热光学特性或参数,识别热点,映射元素内的光功率分布,确定光学冷却效果,等等。

光子集成电路热特性的一个例子

热成像的诊断工具是热调查光子集成电路。让我们看看光子集成电路描述的一个例子。

在光子集成电路级联半导体放大器可以使用放大自发发射的特点。热调制输入给一个放大器使用来自另一个放大器的自发发射。

缺陷出现在级联放大器可以通过热成像的放大器热调制输入。thermoreflectance显微镜通常用于测试高分辨率图片的热图像。

光功率分布在各种光子映射集成电路组件或光学特征相同的组件,可以使用热成像以及总能量平衡模型。

优势

ASE-based光子集成电路特征可以帮助设计师研究芯片晶圆级别。如果光子集成电路晶圆级别的特点是使用热成像在包装和光纤耦合之前,有一个巨大的减少生产成本。

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