了解抗反射法则
关键的外卖
发现抗反射的规则是什么。
学习如何计算阻力反映规则。
理解的意义抵抗反射规则在设计一个是晶体管放大器。
抗反射法则可以帮助设计师选择合适的电阻的值
成长的过程中,我是一个狂热的国际足联比赛。即使是现在,在我30年代末,我仍然享受与其他玩家在11对11的游戏。在这些游戏中,我喜欢伟大的时刻当我可以轻松击败对手。然而,与这些伟大的时刻也会沮丧的时候,当我失去游戏的原因超出了我的控制。在这种情况下发生的,我试着接受结果,继续前进,没有多大意义,担心的事情不在我的控制。
当设计一个放大器是晶体管,幸运的是,设计师们更多的变量控制比玩国际足联的游戏。抗反射规则提供了洞察一个放大器将如何执行在一个特定的配置。正确地应用这一规则确保设计放大器是预测和控制多玩国际足联的游戏。
抗反射规则是什么?
的抵抗反射是一个重要的特点以下是放大器
如果你设计一个放大器双极结型晶体管(是),你需要了解抗反射规则的重要性。这个公式确定一个放大器的特点和性能时,设置在一个特定的配置。为了更好地理解这个公式,让我们首先看一看是机器。
双极结型晶体管
以下是是一种电子组件2 pn结组成。是有3个航站楼,称为收集器(C),基础(B)和发射器(E)终端。有两种类型的是:NPN型晶体管和PNP晶体管。这两种类型是由终端是如何安排的。
是可以操作的截止、饱和和活跃的地区。抗反射规则进场当晶体管在一个活跃的地区。当驱动一个活跃的地区,晶体管是一个放大器,放大的电压当前,或两者兼而有之。
抗反射规则之间的关系是指晶体管的输入电阻和输出电阻。它是由解简单的方程推导出晶体管放大器的电路。由此方程提供了一幅改变输出的电阻是如何影响电阻从输入。
计算阻力是反射
当谈到放大器、晶体管可以配置共发射极,共用底座,或者共集电极不同的效果。共发射极放大器流行是由于其放大电流和电压的能力。
让我们回顾NPN型晶体管的一个共发射极配置:
一个共发射极放大电路
在上面的电路,输入电阻的基础是:
我表达的关系b和我e给:
此外,v我可以通过以下方程,表示r在哪里e输入电阻研究发射器:
更换两个v我和我b在第一和第二方程,它给你:
方程4是共发射极晶体管放大器的抵抗反射规则。从方程,可以看出任何发射极电阻的变化乘以放大系数,β。作为多用途β平均约100晶体管,输入电阻很大。
对于共用底座配置,你会有非常低的输入电阻。由发射器作为输入,输入电阻如下:
Rib= re
共集电极配置呢?
共集电极的抵抗反射规则配置可以通过相同的方法用来解决同一参数共发射极放大器。
你会得到一个低输入电阻的共集电极配置,如下:
为什么抵抗反射规则很重要?
抗反射的规则,你会得到一个好主意的输出电阻的变化如何影响输入电阻。这可以帮助您选择正确的价值输出电阻的得到所需的输入电阻。
你也可以决定使用晶体管放大器的类型在你的设计。共发射极晶体管,它有一个高输入阻抗,通常用于A类放大器。与此同时,共基极晶体管的低输入阻抗是有用的在放大高频信号在同轴电缆上。
不管应用程序时,您需要确定抗反射规则在设计过程中。而不是浪费时间和繁琐的计算,使用香料的软件以节省时间。此外,节奏的PSpice软件工具可以帮助模拟电路参数,使您能够轻松获得价值。