NDR排水扩散

关键的外卖

• 需要超便携设备低功耗可以利用NDR。

• NDR排水扩散产生大幅转移斜率场效应晶体管的阈值区域的组件。

• NDR排水扩散为技术创新提供了可能。

科学家使用了一种叫做diffusion-weighted成像研究老化对大脑的影响。Diffusion-weighted成像措施逐渐运动的水分子或diffusion-directionally沿着白色物质,而不是在它。的分子扩散造成的位移量成为数据的一部分,允许专家评估白质损伤引起的老化,肿瘤,阿尔茨海默氏症和多发性硬化症。扩散也影响半导体器件,但是在不同的方式。与大脑科学不同,扩散是一个积极的事情当相关半导体设备。事实上,NDR排水扩散提供了许多新发展半导体器件的可能性。

场效电晶体

一个场效应晶体管

在某种程度上,通过扩散发生半导体器件的制造。扩散杂质原子在高温半导体材料介绍了掺杂剂硅原子。扩散时间的长度和温度决定了掺杂剂的深度渗透。

在另一个层面,由于电荷载体的扩散电流。热能使航空公司随机移动。随机运动不建立一个网络运营商或净电流流动。每一个载波留下了位置就被另一个取代航母。引入载体梯度导致运营商从高密度区域扩散到低密度区域。

建设一个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)始于存款的氧化层衬底连接到门码头。氧化层是门和衬底之间的绝缘体。场效应管操作,因为轻掺杂基质的扩散与重掺杂区域。取决于建设在一个n沟道MOSFET结果或p沟道MOSFET,我们可能会看到一个轻掺杂p型衬底和两个重掺杂n型区域,或轻掺杂n型基质和两个重掺杂p型区域。

扩散形式源场效应管,排水,和通道的设备。重掺杂区域扩散到轻掺杂区形成一个通道。场效应晶体管的源极和漏极连接通道。隔离通道的门在MOSFET允许应用程序或正面或负面的电压门控制装置的操作。应用负偏压使MOSFET在消耗模式下工作。门口的正偏置电压引起的MOSFET在增强模式下工作。

扩散也可能导致寄生现象发生在mosfet。相同的建设,使场效应管操作还引入了寄生电容装置。因为之间的绝缘漏极和源的大门,一个PN结形式流失和源之间的寄生二极管。反过来,漏源极电容成为寄生二极管结电容。当我们使用功率MOSFET,寄生电容限制MOSFET的操作频率和开关速度。

新的场效应晶体管技术

当前mosfet陷阱密度较低,低掺杂频道。

,场效应管和补充mosfet为电子设备提供所需的功率效率和可伸缩性。当前mosfet继续低陷阱密度和低掺杂在通道。然而,场效应管不能因为规模限制与阈下的地区转移特点的陡度。陡坡结果在当前从快速变化的电子开关。

今天,然而,对节能的需要,可伸缩装置引入了新类型的场效应晶体管(fet)如隧道场效应晶体管和负电容场效应晶体管(NC-FETs)。每一个设备产生一个陡坡。

总之,建设一个NC-FET补充剂MOSFET的氧化层薄层的铁电材料。添加铁电层增加负电容并创建一个陡坡效应。在指定的电压,铁电材料成为反向极化;降低电压造成费用的增加。因此,NC-FETs减少了能耗和对当前电源电压要低得多。改善可伸缩性时通过一个阈值电压,电源电压的增加而增加。所有这一切都可以追溯到简单扩散的概念。

香料模拟可以显示NC-FETs提供微分增益的能力,加上一个大信号增益导致hysteresis-free,最小阈下摆动。因此,NC-FETs超低功率已成为一个可行的选择,高度可移植应用程序用于消费、工业、医疗、航空航天和军事设备。Diffusion-weighted成像设备,例如,收益少用力量和获得可移植性的潜力。这种可移植性变得明显的优势通过更快的MRI扫描可以发现脑损伤并导致更快的治疗。

香料对功率MOSFET模型

NDR排水扩散

NC-FETs还提供漏电流的优势,当漏源极增加饱和度降低。漏极电流减少发生时,设备有负微分电阻(NDR)。转移的斜坡场效应晶体管阈值区域的组件是由NDR排水扩散。动态电阻有一个即时阻力变化根据电流通过电阻或电阻的电压。当看着动态电阻的电流电压曲线,我们看到积极的电阻两端的曲线和负阻在中间。增加电流或电压导致负微分电阻增加而积极的电阻降低。

设备和电路基于负微分电阻作为振荡器、频率因子和存储设备。简而言之通道NC-FETs NDR减少了积极输出电导接近于零的值并产生一个高电压增益。组件和电路设计可以优化NDR通过匹配之间的电容铁电层和氧化层电容,通过控制排水和门之间的电容。

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