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在CMOS反相器噪声容限影响性能吗?

特写CMOS反相器的电子组件

利润在各个领域内的科学和电子产品。这些利润可以安全导向或函数控制或限制。在这两种情况下,利润是必要的促进整体功能、性能和安全。超出设备的利润率或限制通常导致灾难性故障。

然而,如果一个设备或组件可以保持在其可接受的利润率,功能,性能,和生命周期都会增加。如果一个设备或组件是保持在其可接受的利润,就必须首先理解这些限制是什么。例子,我的一个同事无法理解为什么他的熔断器串联电容器一再失败。

在进一步审查,罪魁祸首是不当的安培数(保证金)推荐的保险丝。事实证明,董事会规定20安培但推荐的安培数是40安培。他把这一发现研究图表。利润率和坚持他们玩一个重要组成部分在功能,性能和耐久性。这包括在CMOS逆变器噪声边缘。

噪音的利润率和CMOS特征

在电气工程领域,外部信号的最大电压振幅可以用代数方法添加到无噪声的最坏的输入电平而导致输出电压偏离允许逻辑电压水平所谓的噪声容限。在通信领域的系统工程,我们通常测量分贝(dB)的噪声容限。

此外,我们定义了信号的噪声容限的比率超过可接受的最小数量。关于数字电路、信号的噪声容限是超越生成所需的阈值“1”或“0”。

CMOS代表互补金属氧化物半导体。其制造过程包括使用互补和对称双p型和n型场效电晶体逻辑功能。使用的技术是建设IC(集成电路)芯片,微控制器,CMOS BIOS,微处理器,内存芯片和其他数字逻辑电路。

我们还可以找到使用CMOS技术在数据转换器等模拟电路,射频电路,仅收发器(通信)和图像传感器。总的来说,CMOS器件的两个基本特征是静态功耗和低高噪声免疫力

因为一对MOSFET的总是,系列组合只吸引了大量的力量瞬间而切换状态(开关)。因此,CMOS器件一般比其他形式的逻辑产生更少的热量,例如,TTL,通常有一个站目前即使它不是改变状态。

CMOS逆变器的特点

CMOS技术和VLSI芯片集成到芯片逻辑轻松。此外,他们在更高的速度函数,同时保持很少的功率损耗的特点。此外,CMOS反相器提供了优秀的逻辑缓冲特性,自噪声的高和低的利润同样重要。

现在,让我们仔细看看CMOS逆变器的工作原理及其特点。首先,CMOS反相器包含一个PMOS (p型)和一个NMOS晶体管(n型)连接到排水和门码头。此外,它包括一个电源电压(VDD) PMOS源的接地终端和NMOS源终端。最后,它有一个VIN门连接终端,和视频输出连接到排水终端。记住,CMOS反相器不使用电阻的设计,这意味着更高的功率效率和标准resistor-MOSFET逆变器。

CMOS反相器线路图

引用上面的CMOS反相器图,输入的电压互补金属氧化物半导体设备变化之间的5和0伏,PMOS和NMOS的状态会有所不同。因此,如果我们模型每个晶体管作为一个简单的开关,激活VIN,毫无疑问我们可以看到CMOS反相器的功能。

噪音利润率CMOS逆变器

现在在纯数字逆变器,他们不会立即从“1”(逻辑高)“0”(逻辑低)因为存在某种程度的电容。当一个逆变器从一个过渡逻辑高到一个逻辑低,有一个模糊区域,我们不能考虑电压较低或高。在这一刻,我们认为它是噪声容限。

我们必须考虑有两种噪声边缘,他们是:噪声容限高(NMH)和噪声容限低(核磁测井)。传动装置的最低电压输出逻辑高(VOH min)必须大于最小输入电压(VIH分钟)接收设备的逻辑高。由于噪声存在电线,逻辑高在传动装置的输出信号可能到达输入电压较低的接收设备。

因此,噪声容限,NMH = (VOH min - VIH min),为逻辑高公差的范围仍然可以正确接收逻辑高信号。我们可以说相同的噪声容限,NML =(维尔马克斯- max卷)为逻辑低,而规定的公差范围为逻辑低信号。一个较小的噪声容限表明一个电路对噪声更敏感。

计划利用CMOS反相器电路图

规划布局使用CMOS反相器需要注意电子噪声。

噪声容限是一个标准的设计利润建立在特定条件下适当的电路功能。噪音的来源可以包括电源、操作环境、电场和磁场和辐射波。芯片上的晶体管开关活动可以产生不良的噪音。因此,提供适当的晶体管开关在特定的噪声条件下,电路的设计必须包括这些特定噪声边缘。

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